申論題

二、矽 pn 二極體已知p區的摻雜 N_A = 2✖10¹⁴ cm^-3 ， n區的摻雜 ND = 6✖10¹⁴ cm^-3，常溫下 1 kT/q = 0.0259 V ， ni = 1.5 ✖ 10¹⁰ cm^-3 ， q = 1.6✖10^-19C，電子與電洞的位移率（mobility）分別為μ_n = 1350 cm²/v●s 及μ_p = 480 cm²/v●s，D/μ = kT/q，假設 p 區電子與 n 區電洞的少數載子壽命均為τ_n = τp = 1μs，忽略空乏區內額外的載子復合與產生機制，請求出：