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112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:電子元件#116767
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申論題
試卷:112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:電子元件#116767
科目:電子元件
年份:112年
排序:0
申論題資訊
試卷:
112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:電子元件#116767
科目:
電子元件
年份:
112年
排序:
0
題組內容
四、對於 npn 雙極性接合面電晶體(BJT)操作於順向作用區,元件之射基極間加上順偏,理論上流過空乏區之電子與電洞電流分別為 J
nE
與 J
pE
, 另考慮順偏壓時之額外復合電流 J
R
。元件之基集極間加上反偏,理論上 流過空乏區之電子與電洞電流分別為 J
nC
與 J
pc0
,另考慮反偏壓時之額外 產生電流 J
G
,請以上述相關電流符號列式表示 BJT 元件與下列參數之 關係:
申論題內容
(一)直流共基極電流增益(dc common-base current gain)α
0
= ?(6 分)