一、某矽晶體材料均勻摻雜濃度為 5✖ 1013 cm-3 硼(B)原子，已知常溫（300 k）下矽的本質載子濃度為 ni = 1.5 ✖ 1010 cm-3，q = 1.6 ✖ 10-19 C，電子與電洞的位移率（mobility）分別為μn = 1350 cm2/v●s 及μp = 480 cm2/v●s，於熱平衡時請求出：
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