109年 - 109-1 國立金門高級農工職業學校教師甄選：電子科#87856

科目：教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科 | 年份：109年 | 選擇題數：40 | 申論題數：2

試卷資訊

所屬科目：教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科

選擇題 (40)

1. 有一正弦波交流電流信號 i(t)＝，則下列敘述何者錯誤？ (A)峰值電流 I_m＝5A (B)頻率 f＝50Hz (C)週期 T＝20ms (D)有效值電流 I_rms＝5A 。

2. 在純半導體中最常使用的材料為矽和鍺，則此兩種材料皆為幾價元素？ (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價。

3. 整塊 N 型半導體是呈現 (A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性。

4. 如下圖所示電路，若 V_Z=5V，則稽納二極體的消耗功率為多少？（不考慮稽納二極體的電阻）
(A)125mW (B)375mW (C)360mW (D)500mW 。

5. 電晶體三層構造中，哪一極的寬度最薄？ (A)都一樣寬 (B)E 極 (C)C 極 (D)B 極

6. 共射極放大器的信號是 (A)射極輸入，集極輸出 (B)基極輸入，集極輸出 (C)基極輸入，射極輸出 (D)集極輸入，射極輸出。

7. 電晶體當作放大器使用時，接面偏壓為 (A)B−C 接面順偏，B−E 接面逆偏 (B)B−E 接面順偏，B−C 接面逆偏 (C)B−E 接面順偏，B−C 接面順偏 (D)B−E 接面逆偏，B−C 接面逆偏。

8. 如下圖，集極電流之飽和值 I_C(sat)為
(A)4mA (B)5mA (C)10mA (D)20mA。

9. FET 當線性放大器時工作在 (A)定電流區 (B)定電壓區 (C)截止區 (D)崩潰區。

10. 有一 P 通道 JFET，若V_p= 5V ， I_DSS =10mA ，則V_GS=1.5V時之I_D為 (A)0mA (B)4.9μA (C)4.9mA (D)4.9A。

11.I_DSS是時的汲極電流。(A)V_DS= 0 (B)V_DC=0 (C)V_GS =0 (D)V_DD=0

12. 下列何者為增強型 PMOS，I_D - V_GS特性曲線圖？ (A) (B) (C) (D) 。

13. 如下圖，當輸入電壓 V_in 為 12V 時，其輸出電壓 V_out 為
(A)12V (B)7.7V (C)5V (D)2.3V。

14. 理想 OPA 在開迴路時，若 V_i(-) ＞ V_i(+) 時，輸出為？ (A) + V_CC (B) －V_CC (C) 0 (D)未定態。

15. RC 相移振盪器的 RC 回授網路須提供總相位移為(A)0 或 360 (B)180 (C)90 (D)60 度。

16. 下列何者為非弦波振盪器？ (A)韋恩電橋振盪器 (B)施密特振盪器 (C)石英晶體振盪器 (D)考畢子振盪器。

17. 於全波整流電路中，濾波僅包括負載電阻，其漣波百分率為? (A)150% (B)121% (C)96% (D)48%

18. 圖中，Vi(t)＝12sinωtV，稽納二極體之崩潰電壓 V_z1＝6V，V_z2＝15V，順向電壓降為 0V，則輸出波形 Vo(t)為
(A) (B) (C) (D)

19. 如圖的電路，二極體為理想二極體，若輸入電壓Vi(t)=6sin(200πt)V，當該電路狀態達穩定後，則輸出之一週期電壓波形，下列何者正確？
(A) (B) (C) (D)

20. 如圖所示之電路中，雙極性接面電晶體的 V_BE= 0.7V，β = 50，則 I_B大小為何？
(A)0.5mA (B)0.25mA (C)0.1mA (D)0.05mA

21. 如圖所示之電路，假設 V_{BE (on)} = 0.7V，β = 80，試問 V_CE約為下列何值？
(A)1.4V (B)3.4V (C)5.4V (D)7.4V

22. 如圖所示之電路，電晶體的β =100，V_BB= 6V，V_CC=12V，R_B =100kΩ，R_C=1kΩ，V_BE= 0.7V，則V_CE約為何？
(A)5.3V (B)6.0V (C)6.7V (D)7.4V

23. 如圖所示之電路，集極負載電阻應為
(A)800Ω (B)400Ω (C)200Ω (D)250Ω

24. 如圖所示之達靈頓對(Darlington Pair)放大器，已知其兩個電晶體特性相同，若 h_oe h_fe R_E≦0.1，其電流增益及輸入阻抗分別為何？
(A)400，400kΩ (B)400，20kΩ (C)40，40kΩ (D)40，400kΩ

25. 有 4 支相同的喇叭並聯後，接於耦合變壓器二次側，每支喇叭電阻值為 80Ω，一次側看入之有效負載總電阻值為 72kΩ，求所使用耦合變壓器之一次側與二次側匝數比為下列何者？ (A)36：1 (B)60：1 (C)72：1 (D)90：1

26. 如圖所示電路，已知 MOSFET 的臨界電壓 V_T =3V，則電壓 V_DS為多少？
(A)0V (B)4V (C)8V (D)12V

27. 如圖所示，已知 MOSFET 之互導g_m =2mA/V，汲極電阻r_d=95kΩ，則其電壓增益為
(A) -9.5 (B) -19 (C) -38 (D) -57

28. 下列關於 JFET 共汲極放大電路之敘述，何者正確？ (A)又稱為源極隨耦器 (B)電壓增益甚高 (C)輸出訊號與輸入訊號相位相反 (D)電流增益低於 1

29. 下列有關電晶體特性曲線何者錯誤？ (A) 集極輸出特性曲線表示的是 V_CE與 I_C之間的關係 (B) 基極輸入特性曲線表示的是 V_CE與 I_B 之間的關係 (C) 繪製集極輸出特性曲線時是以 I_B為參考 (D) V_CE對 V_BE與 I_C之間的關係影響不大

30. 在未外加偏壓下，下列有關 PN 接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？ (A) 所形成的障壁電位，在空乏區 N 側的電位比 P 側的電位高 (B) 達到平衡狀態時，在空乏區 P 側中有電洞、在 N 側中有自由電子 (C) 在空乏區中，P 側有負離子、N 側有正離子 (D) P、N 兩側空乏區的寬度，其所摻雜的雜質濃度愈高，則該側空乏區的寬度愈窄

31. 如圖所示電路，設D₁、D₂為理想二極體，試求 Vo=？
(A) 1V (B) 2V (C) 3V (D) 4V

32. 下列敘述何者錯誤？ (A) BJT 當開關使用時是工作於飽和區或截止區 (B) BJT 當放大器使用時是工作於主動區 (C) BJT 在主動區的偏壓方式是 BE 接面順向偏壓，BC 接面逆向偏壓 (D) BJT 在飽和區的偏壓方式是 BE 接面逆向偏壓，BC 接面逆向偏壓

33. 積體電路中，依邏輯閘數目之多寡分類，且由多到少排序，何者正確？ (A) SSI＞MSI＞LSI＞VLSI (B) VLSI＞ULSI＞LSI＞MSI (C) ULSI＞VLSI＞SSI＞LSI (D) ULSI＞VLSI＞MSI＞SSI

34. 如圖所示電路，V_S為 100V 的交流電壓，在無負載情況下，Vo=？
(A) 100V (B) 141V (C) 200V (D) 282V

35. 如圖所示電路，電容的電壓波形近似為何？
(A) 方波 (B) 正弦波 (C) 三角波 (D) 脈波

36. 加入偏壓的施密特觸發器，其特性參數值何者會受影響？ (A) 正回授因數值 (B) 輸出飽和電壓 (C) 臨界電壓 (D) 遲滯電壓

37. 疊接放大器的主要增益來自於？ (A) 第一級的共射極放大 (B) 第二級的共射極放大 (C) 第一級的共集極放大 (D) 第二級的共基極放大

38. 下列有關電壓緩衝放大器的敘述何者有誤？ (A) 必須有很高的輸入阻抗 (B) 輸出阻抗必須很小 (C) 常被用於測量儀器的輸入級 (D) FET 電路中，最常被用為電壓緩衝放大器的是共閘極組態

39. 有關變壓器耦合串級放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 耦合變壓器可阻隔直流 (B) 耦合變壓器可耦合交流信號 (C) 各級直流偏壓會相互影響 (D) 理想變壓器不會消耗功率

40. 理想 OPA 作為放大器使用時，應外加何種電路？ (A) 穩壓電路 (B) 箝位電路 (C) 正回授電路 (D) 負回授電路

申論題 (2)

二、問答題：
1. 試述理想的運算放大器特性為何? 答案：

2.如下圖電路，已知電源±V_CC =±15V，若 V_s= 3V，R₁ = 2kΩ ， R_f =20kΩ ，試求輸出電壓 Vo=？V_A= ？

答案：