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110年 - 110 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#101920

科目：積體電路技術 | 年份：110年 | 選擇題數：0 | 申論題數：12

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (12)

(一)試以數學表示式定義「等效氧化層厚度」（EOT, equivalent oxide thickness）。（10 分）
(二)假設氧化鋁的厚度為 20 nm、相對介電常數 εr = 9，試求其等效氧化層 厚度（EOT）為？（10 分）
(一)試繪圖說明何謂 CMOS 閂鎖（latch-up）效應。（10 分）
(二)試說明兩種可預防發生 CMOS 閂鎖效應之製程設計。（10 分）
(一)通道長度（L）

(二)汲-源極電壓（615ab0a2edd6e.jpg）
(三)施體或受體摻雜濃度（ND 或 NA）
(四)閘極電容（CG）
(五)功率（P）
(一)試指出濕式蝕刻（wet etching）係具備等向性（isotropic）或非等向性 （anisotropic）蝕刻特性。（5 分）
(二)請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。（15 分）
五、假設樣品 A 為被氮化鈦（TiN）黏著層完全包覆之銅（Cu）導線，其正方 形截面積為 0.5 μm × 0.5 μm，TiN 之厚度為 t；另樣品 B 為具有相同正方 形截面積之 TiN/鋁（Al）/TiN 堆疊層導線，其上層 TiN 厚度為 40 nm、 下層 TiN 厚度為 60 nm。假設 Cu 之電阻係數為 1.7 μΩ-cm，Al 之電阻 係數為 2.7 μΩ-cm，且樣品 A 與 B 在相同長度之下，具有相同的電阻， 試求樣品 A 之 TiN 黏著層厚度 t =？（20 分）