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積體電路技術
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110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#101920
> 申論題
題組內容
三、金氧半場效電晶體(MOSFET)以定電場方式縮小元件尺寸(constant-field scaling),如果尺寸縮小參數(scaling factor)k = 0.7,試輔以數學表示式 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化:(每小題 4 分,共 20 分)
(三)施體或受體摻雜濃度(N
D
或 N
A
)
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(四)閘極電容(CG)
#427813
(五)功率(P)
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(一)試指出濕式蝕刻(wet etching)係具備等向性(isotropic)或非等向性 (anisotropic)蝕刻特性。(5 分)
#427815
(二)請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。(15 分)
#427816
五、假設樣品 A 為被氮化鈦(TiN)黏著層完全包覆之銅(Cu)導線,其正方 形截面積為 0.5 μm × 0.5 μm,TiN 之厚度為 t;另樣品 B 為具有相同正方 形截面積之 TiN/鋁(Al)/TiN 堆疊層導線,其上層 TiN 厚度為 40 nm、 下層 TiN 厚度為 60 nm。假設 Cu 之電阻係數為 1.7 μΩ-cm,Al 之電阻 係數為 2.7 μΩ-cm,且樣品 A 與 B 在相同長度之下,具有相同的電阻, 試求樣品 A 之 TiN 黏著層厚度 t =?(20 分)
#427817
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#427818
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#427819
(三)土壤污染
#427820
(四)土壤封實(sealing)與土壤壓實(compaction)
#427821
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#427822
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