114年 - 02900 視聽電子乙級工作項目 04：電子學 201-250（2025/10/16 更新）#132297

科目：技檢◆視聽電子-乙級 | 年份：114年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆視聽電子-乙級

選擇題 (50)

複選題
201. 電晶體作為放大器或邏輯電路使用時，下列敘述何者正確？ (A)放大器工作在飽和區 (B)放大器工作在截止區 (C)放大器工作在活性區(ActiveRegion) (D)邏輯電路工作在飽和及截止區。

複選題
202. 一般用於快速交換時間的積體電路有 (A)I2 L (B)TTL (C)DTL (D)ECL 。

複選題
203. 積體電路製造採用 MOSFET 為基本主動元件，是因為 MOSFET 具有下列何種特性？ (A)交換速度高於雙接面電晶體(BJT) (B)輸入阻抗非常高 (C)漏電電流量小 (D)功率放大特別高。

複選題
204. 互補金屬氧化半導體(CMOS)優於 TTL 的特性為何？ (A)使用電壓範圍較廣 (B)速度較快 (C)耗電流較少 (D)較能抗拒外來雜訊。

複選題
205. 有關 CMOS 邏輯閘的敘述，下列何者錯誤？ (A)靜態功率消耗非常小 (B)其傳播延遲比 TTL 者小 (C)需正負兩種外加電源，才能工作 (D)不用的輸入端，應接到 VSS 或 VDD，不可空接。

複選題
206. 有關邏輯閘之敘述，下列何者正確？ (A)輸入均為 1 時，輸出才為 1 的閘為 NOR 閘 (B)布林函數

代表的為有兩個(端)輸入的 exclusiveOR(XOR) 閘 (C)布林函數

所代表的為有兩個(端)輸入的exclusive NOR(XNOR) 閘 (D)當兩輸入同時為 1 時，NOR 閘以及 XOR 閘之輸出不同。

複選題
207. 下圖正反器所示，下列敘述何者錯誤？

(A)當 PR 接 1，CLR 接 0 時，Q輸出為 0 (B)正常動作時，PR 及 CLR 同時接 0 (C)PR 及 CLR 可同時接 1(D)為正緣觸發 D 型正反器。

複選題
208. 關於布林代數之恆等式，下列敘述何者正確？ (A)ABC = (A + B )(A +C ) (B)

(D)A(B + C ) = AB + AC 。

複選題
209. 有關多工器的敘述，下列何者錯誤？ (A)輸入和輸出是一對一的關係 (B)輸入和輸出是一對多的關係 (C)輸入和輸出是多對多的關係 (D)輸入和輸出是多對一的關係。

複選題
210. 二進位的減法過程中，下列敘述何者錯誤？ (A)「被減數」與「減數」相加 (B)「被減數的補數」與「減數的補數」相加 (C)「被減數」與「減數之2 的補數」相加 (D)「被減數之 2 的補數」與「減數」相加。

211. 有關計數器的敘述，下列何者正確？ (A)漣波計數器是屬於同步計數器的一種 (B)一般計數器，依脈波觸發方式，可分成同步、非同步計數器二種(C)將移位暫存器作適當之連接，可成為環型計數器 (D)若環型計數器有 n個正反器，則可作為 n+1 模計數器。

212. 若只用一顆 7490 IC 作為計數器，下列敘述何者正確？ (A)可作除 10 電路(B)可作除 5 電路 (C)可作除 16 電路 (D)可作除 2 電路。

213. 有一交流電路，已知其功率方程式 P＝1000－2000cos(628t＋30°)，下列敘述何者正確？ (A)平均功率為 1000W (B)最高功率為 3000W (C)t＝200 秒時之瞬間功率 1500W (D)功率頻率為 200Hz 。

214. 一個色碼電阻的四個色帶依序為綠、藍、黑、金，則此電阻為 (A)56±2.8Ω (B)56±10%Ω (C)56±5.6Ω (D)56±5%Ω 。

215. (本題刪題)有一 RLC 串聯電路 R＝10W，L＝0.1H，C＝10mF，接於100V 之電源，下列敘述何者正確？ (A)諧振時之品質因數為 10 (B)諧振時電容端電壓為 100V (C)諧振頻率為 159Hz (D)諧振時電感端電壓為100V 。

216. 有一電路 i(t)=80sin

A、v(t)=160sin

V，下列敘述何者正確？(A)θ=90°時為純電容電路 (B)θ=0°時為純電阻電路 (C)θ=60°時為電阻電感電路 (D)θ=-90°時為純電感電路。

217. 有一 2 馬力的抽水馬達效率η=80%，每日平均運轉 4 小時，每月以 30天計算，每度電費為 5 元，下列敘述何者正確？ (A)抽水馬達輸出功率為1492W (B)抽水馬達輸入功率為 1.989KW (C)每日消耗電 5.968 度 (D)每月消耗電費 1119 元。

218. 下列有關單位之敘述何者正確？ (A)1m(毫)=

(B)能量單位為瓦特(W)(C)eV(電子伏特)為電壓單位 (D)電量的單位為庫侖。

219. 下圖所示電路，若對電路中之

兩端轉換成諾頓等效電路，則下列敘述何者正確?

(A)諾頓等效電流為 1A (B)諾頓等效電阻為 3Ω (C)36V 電壓消耗 117W (D)為 0.5A 。

220. 有關電子之敘述，下列何者正確？ (A)金屬導體中只有電子沒有電洞 (B)半導體中有電洞也有電子 (C)絕緣體的價電子少於 4 個 (D)原子失去帶負電之電子後會形成負離子。

221. 有關三相電源的 Y 型連接，下列敘述何者正確？ (A)線電流與相電流相差30° (B)線電壓與相電壓相差 30° (C)線電流為相電流的倍 (D)線電流等於為相電流。

222. 有關佛萊銘右手定則，下列敘述何者正確？ (A)為電動機定則 (B)拇指為磁場方向 (C)食指為磁場方向 (D)中指為電流方向。

223. 下列那一種二極體，其正常動作不是在逆向偏壓的情況下？ (A)整流二極體(Rectifier diode) (B)稽納二極體(Zener diode) (C)變容二極體(Varactordiode) (D)發光二極體(LED) 。

224. 下圖電路所示，假設二極體並"不是"理想二極體，導通後具有 0.7V 的固定壓降，下列敘述何者正確？

(A)I1=0.285mA (B)I1=0.215mA (C)V1=2.85V(D)V1=2.15V 。

225. 下圖電路所示，假設運算放大器為理想，已知該電路電壓增益(Vo/Vi)為–9，下列敘述何者正確？

(A)R1=10K 且 R2=90KΩ (B)R1=10K 且R2=30KΩ (C)R1=1K 且 R2=9KΩ (D)R1=1K 且 R2=3KΩ 。

226. 下圖電路所示，假設二極體為理想二極體，已知輸入 Vi=10sin314t，輸出為 Vo ，下列敘述何者正確？

(A)最大值為 5V (B)頻率為 100Hz (C)週期為 20mS (D)峰對峰值為 10V 。

227. (本題刪題)下圖電路所示，假設二極體與稽納二極體(Vz=5V)皆為理想，當 E=+10V 時，下列敘述何者正確？

(A) (B)V1=2.5V (C)(D)V2=7.5V 。

228. (本題刪題)下圖電路所示，為一電晶體組成之反相電路，其中β=100、

，關於高態雜訊邊限(NMH)與低態雜訊邊限(NML)，下列敘述何者正確？

(A)NMH=3.96V (B)NML=0.5V (C)NMH=4.8V (D)NML=0.2V 。

229. 下圖電路所示，下列敘述何者正確？

(A)(B)(C) (D)由信號源所看到的輸入阻抗=1.6MΩ 。

230. 下列何者不是正確的達靈頓（Darlington）電路組態？(A)

NPN 型達靈頓（Darlington）電路(B)

PNP 型達靈頓（Darlington）電路(C)

NPN 型達靈頓（Darlington）電路(D)

PNP 型達靈頓（Darlington）電路。

231. 有關 MOSFET 之敘述，下列何者正確？ (A)空乏型 N 通道 MOSFET 其

可接負電壓或正電壓 (B)空乏型 MOSFET 本身結構沒有通道 (C)增強型 P 通道 MOSFET 其

若接正電壓，則無法建立通道 (D)增強型 N 通道 MOSFET 之臨界電壓(VT)值為正。

232. 有關振盪器的敘述，下列何者錯誤？ (A)石英晶體振盪器的頻率最為穩定(B)石英晶體是一種壓電材料 (C)石英晶片愈薄振動頻率愈低 (D)低頻振盪器一般採用石英晶體振盪器為主。

複選題
233. 下圖電路所示，假設二極體為理想二極體，則流過 2KΩ電阻的電流

及Vo 電壓為何？

(A)=4.5mA (B)Vo=0V (C)=2.5mA (D)Vo=5V 。

234. 下圖電路所示，當 Vcc=9V，C=0.01μF，R₁=20KΩ，R₂=10KΩ時，則電容 C 上之電壓峰對峰值

及輸出工作週期百分比 D%分別為何？

(A) (B) (C)D=25% (D)D=75% 。

235. 下圖 DTL 電路所示，二極體為理想二極體，其等效電路為何？

(A)(B)(C)(D)Y=A ﹒B。

236. (本題刪題)下圖電路所示，為利用 4 對 1 多工器設計一全加器(FA)，其中 A 為被加數、B 為加數、Ci 為進位輸入，S 為和、Co 為進位輸出，下列敘述何者正確？

(A)x=Ci (B)x=1 (C)y=1 (D)y=0 。

237. 以 CMOS 邏輯閘直接驅動 TTL 元件，可能會出現下列那種問題? (A)高雜訊邊限(NMH)不足 (B)低雜訊邊限(NML)不足 (C)

電流不足 (D)操作速度不夠快。

238. 下列敘述何者錯誤？ (A)就 IC 內部容量而言，依多寡順序為 FPGA、CPLD、SPLD (B)FPGA、CPLD、SPLD 皆支援電路上隨時規劃(ISP，insystem program)功能 (C)ISP 技術與 FPGA 產品皆為 Xilinx 廠商所發明 (D)VHDL、Verilog HDL 兩者皆為 IEEE 所認定的 HDL 語言。

239. 下圖電路所示，為一個 BCD 碼轉成 9 補數的電路方塊圖，下列布林代數何者正確？

(A)(B) (C)Y=B (D) 。

240. 對電場與磁場之說明，下列敘述何者正確？ (A)電場異性相吸、同性相斥，磁場異性相斥、同性相吸 (B)電場之電阻

，磁場之磁阻

(安匝/韋伯) (C)電場強度

(牛頓/庫倫)，磁場強度

(牛頓/韋伯) (D)電場中電力場不一定是封閉的曲線，磁場中磁力線必須是封閉的曲線。

241. 有一電路以極座標表示為 60 -120°，若以其他複數表示，下列敘述何者正確？ (A)

(C)-30+j52 (D)-30-j52 。

242. 下圖電路所示，

，依電路計算下列參數何者正確？

(A) (B) (C) (D) 。

243. 下列何者為場效電晶體(FET)之特性？ (A)具有高輸入電阻，故有較低的扇出數 (B)工作僅靠多數載子，故為單載子元件 (C)可當作電阻性負載使用(D)具有很小的內在電容可儲存電荷，因而可做為記憶體元件。

244. 有一接面場效電晶體當

固定時，則下列何者可以決定通道汲極(Drain)電阻

之值？ (A)施體濃度

(B)通道實效截面積 (C)

245. 對於整流電路的敘述，下列何者正確？ (A)橋式整流二極體之 PIV=Vm (B)全波整流二極體之 PIV=2Vm (C)橋式整流之漣波因素=1.21 (D)全波整流之漣波因素=0.482 。

246. 下圖電路所示，假設二極體為理想二極體，下列敘述何者正確？

(A)二極體之 PIV=31V (B)Vo=22V (C)Vr=9.5 (D)變壓器次級圈電壓 Vrms=31V 。

247. 下圖電路所示，下列敘述何者正確？

(A)R1 開路時 Vc=20V (B)R4 開路時Vc=20V (C)R3 開路時 Vc=20V (D)CE 短路時 Vc=0.1V 。

248. 下圖電路所示，hie=1KΩ，hre=0，hfe=80，hoe=20μΩ，則下列參數何者正確？

(A)IB=50μA (B)IC=3.25mA (C)VCE=7.56V (D)S=7.9 。

249. 下列何者為設計組合邏輯電路之要素？ (A)確定輸入、輸出個數並給予變數名稱 (B)建立輸入、輸出真值表 (C)繪製激勵表 (D)化簡布林代數。

250. 下列電路圖所示，何者功能與 Not Gate 相同？(A)

申論題 (0)