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97年 - 97 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40290

科目：半導體工程 | 年份：97年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

一、請分析一原子半徑為 0.225 nm 且具面心結構之晶體（設原子為硬球體），其⑴ 該 晶體之原子體積密度為何？⑵ 相鄰(110)平面間之距離；⑶ 原子在(110)面上之表面 密度。（15 分）
二、請以能帶圖說明何種情況金屬與 p-type 半導體將有機會形成歐姆接觸。（10 分）
三、何謂穿隧二極體（tunnel diode）？試繪出其能帶圖並說明電流-電壓之關係。（15 分）
四、請說明發光二極體之工作原理，並說明如何提升其發光效率。（10 分）
五、請說明愛因斯坦關係式為何？何謂載子漂移率？其單位為何？（20 分）
六、以 n-type Si 為基板，請說明形成 pn 接面之步驟。（20 分）
七、請說明磊晶與鍍膜之差異。（10 分）