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97年 - 97 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#49064

科目：積體電路技術 | 年份：97年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (9)

一、在西元 2007 年，某一國際知名半導體公司宣布推出一最先進之 NAND 型快閃記憶 體（NAND Flash memory）單一晶片，該晶片係以 50 奈米（nm）製程製作，內含 160 億個位元（bit）。試說明每一位元約占多少面積？（6 分）如一位元的電路為 正方形的話，則其長度約為多少倍的線寬？（6 分）
二、在實際應用中除第一題中所提及的 NAND 型快閃記憶體，尚有一種 NOR 型快閃記 憶體，試說明此兩者之間電路架構的相異之處，（10 分）並詳述此二種記憶體之各 自應用範圍有何不同。（10 分）
三、以一 N-well CMOS 製程為例，說明製作一 PMOS 電晶體所需之各項步驟。（20 分）
⑴ Diffusion
⑵光阻
⑶ LDD structure
⑷ Hot electron
⑸ Tunneling
⑹ E-beam lithography and its advantage