99年 - 99 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群電子類_專業科目(一)：電子學、基本電學#18237

科目：統測◆(一)電子學、基本電學 | 年份：99年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：統測◆(一)電子學、基本電學

選擇題 (50)

1. 將規格為 100 V/ 40W 與 100 V/ 80W 的兩個燈泡串接於 120 V 電源，則這兩個燈泡總消耗功率約為何？(A)2W (B) 58W (C) 38W (D) 27W

2. 某三相平衡負載之線電壓有效值為 200 V，線電流有效值為 10 A，負載之功率因數為 0.8 落後，則其負載的總視在功率 S 與總實功率 P 各為何？ (A) S = 6 kVA，P = 2.07kW (B) S = 6 kVA，P = 4.8 kW (C) S = 3.46kVA，P = 1.6 kW (D) S = 3.46kVA，P = 2.77kW

3.如圖(一)所示之電路，交流電源電壓

.，調整電感器使此電路產生諧振，則此時電感器之端電壓V_L 為何？

4. 下列有關 R-L-C 串聯諧振電路之敘述，何者正確？ (A) 諧振時，此電路為純電阻性 (B) 諧振時，電阻值與電容值相同 (C) 諧振時，電感值與電容值相同 (D) 諧振時，此電路為電感性的如圖(二)所示之電路，若 v(t) = 100sin( 377t+15o )V，i(t) = 5sin( 377t – 45o 5. )A，則電感器所消耗的虛功率為何？

5.如圖(二)所示之電路，若

，則電感器所消耗的虛功率為何？

(A) 125VAR (B) 217VAR (C) 354VAR (D) 433VAR

6. 如圖(三)所示之電路，若

，則 9Ω 電阻消耗的平均功率為何？

(A) 1600W (B) 1000W (C) 800W (D) 600W

7. 如圖(四)所示之電路，則電容 C 之值為何？

(A) 618μF (B) 746μF (C) 920μF (D) 1066μF

8. 一單相馬達具有起動線圈與運轉線圈兩並聯線圈迴路，若兩線圈之電流分別為 10 cos( 377t)A 及 17.32sin( 377t)A，則馬達之總電流為何？ (A) 20cos( 377t – 30^o )A (B) 27.32cos( 377t –30^o )A (C) 20sin( 377t+30^o )A (D) 27.32sin( 377t+30^o )A

9. R-C 串聯負載之交流電路，於穩態條件下，下列敘述何者正確？ (A) 負載之電流相角滯後電壓相角 (B) 負載功率因數小於 1 且為滯後 (C) 負載功率因數小於 1 且為領前 (D) 負載的視在功率等於實功率

10. 如圖(五)所示之週期信號 v1(t)，其峰值為 Vp，若 D = T₁ /( T₁ + T₂ )，當 D = 0.55 時 v₁(t)之 a 平均值為何？

(A) 0.74Vp (B) 0.55Vp (C) 0.45Vp (D) 0.25Vp

11.a已知交流電壓 v(t) = v1(t)+v2(t)，若 v1(t) = 10 sin( 377t+30o )V， v2(t) = 10 sin( 377t –30^o )V，則 v(t)為何？ (A) v(t) = 20 sin( 377t)V (B) v(t) = 17.3sin( 377t)V (C) v(t) = 14.4sin( 377t)V (D) v(t) = 10 sin( 377t)V

12.R-L 串聯電路，若 R = 1 kΩ，L = 300mH，則電路之時間常數 為何？ (A) 0.3μs (B) 0.3ms (C) 3.3s (D) 3333.3s

13.a下列有關串聯電路之敘述，何者錯誤？ (A) 電阻、電感串聯電路，電阻愈大，則時間常數愈大 (B) 電阻、電容串聯電路，電阻愈大，則時間常數愈大 (C) 電阻、電容串聯電路，電容愈大，則電路所需之穩態時間愈長 (D) 電阻、電感串聯電路，電感愈大，則電路所需之穩態時間愈長的

14.a下列有關法拉第定律( Faraday’s law )之感應電勢(電壓)敘述，何者正確？ (A) 感應電勢與線圈匝數平方成正比 (B) 感應電勢與通過線圈之磁通量成正比 (C) 感應電勢與線圈匝數成反比 (D) 感應電勢與單位時間內通過線圈之磁通變化量成正比的

15. 如圖(六)所示之電路，若 L1 = 10mH，L2 = 8mH，M = 4mH，則 a、b 兩端的總電感量 a 為何？

(A) 26mH (B) 10mH (C) 6.4mH (D) 2.46mH

16.a將 0.05 庫倫的正電荷由 b 點移到 a 點，需要作正功 400 m 焦耳，則 a、b 兩點間的電位差 V_ab為何？ (A) 8V (B) 20mV (C) –20mV (D) –8V

17.a如圖(七)所示之電路，若 R_L消耗最大功率，則此最大功率為何？

(A) 1000W (B) 500W (C) 250W (D) 125W

18. 如圖(八)所示之電路，a、b 兩端由箭頭方向看入之戴維寧等效電壓 E_th與等效電阻 R_th各 a 為何？

(A) E_th = 12V，R_th = 3Ω (B) E_th = 12V，R_th = 4.5Ω (C) E_th = 15V，R_th = 3Ω (D) E_th = 15V，R_th = 4.5Ω

19.a如圖(九)所示之電路，a、b 兩端的諾頓( Norton )等效電流 I_N及等效電阻 R_N各為何？

(A) I_N = 10A，R_N = 8Ω (B) I_N = 10A，R_N = 6Ω (C) I_N = 5A，R_N = 8Ω (D) I_N = 5A，R_N = 6Ω

20. 如圖(十)所示之電路，I₁與 I₂各為何？

(A) I₁ = – 2A，I₂ = 1A (B) I₁ = – 2A，I₂ = – 1A (C) I₁ = 2A，I₂ = 4A (D) I₁ = 2A，I₂ = 0A

21. 如圖(十一)所示之電路，求 V1及 V2分別為何？

a (A) V1 = 30V，V2 = 20V (B) V1 = 20V，V2 = 30V (C) V1 = 18V，V2 = 12V (D) V1 = 12V，V2 = 18V

22.a1.5 V 乾電池式手電筒，使用過後手電筒漸漸變暗，取出電池以電表量測電池之開路端電壓為 1.48V (新電池為 1.5V )。造成手電筒漸漸變暗之最可能原因為何？ (A) 乾電池之等效串聯內阻漸漸變大 (B) 乾電池之等效串聯內阻漸漸變小，等效電壓不變 (C) 乾電池之等效並聯內阻漸漸變大 (D) 乾電池之等效串聯內阻與等效電壓均變小的

23.a下列敘述何者正確？ (A) 卡為熱量之單位，1 卡熱量約等於 1 焦耳之能量 (B) 導電率與電導係數成反比 (C) 導體之電導值與導體之截面積成反比 (D) 負電阻溫度係數表示溫度下降電阻值升高的

24.a有一導線的電阻值為 2.5 Ω，在體積不變之條件下將它均勻拉長，使其長度變為原來之 1.2 倍，則導線拉長後之電阻值為何？ (A) 3.0Ω (B) 3.6Ω (C) 4.2Ω (D) 4.8Ω 的

25.a一電阻、電感及電容並聯諧振電路中，當外加交流信號頻率 f 大於電路諧振頻率 fo時，電路之阻抗特性為何？ (A) 電感性阻抗 (B) 電阻性阻抗 (C) 電容性阻抗 (D) 無一定之阻抗特性的公告試題電機與電子群電機類、電機與電子群電子類專業科目(一) 第 5 頁共 8 頁第二部份：電子學(第 26 至 50 題，每題 2 分，共 50 分) 的

26.a帶電量 1.6 x 10^-19 庫倫的電子，通過 1 伏特的電位差，所需的能量為何？ (A) 1.6 x 10^-19 電子伏特( eV ) (B) 1.6 x 10 ^-19 焦耳 (C) 1 焦耳 (D) 1 瓦特的

27.a如圖(十二)所示之電路，下列有關 V_o漣波電壓有效值之敘述，何者正確？

(A) 與 Vi頻率成正比 (B) 與 Vi振幅成正比 (C) 與電阻 RL成正比 (D) 與電容 C 成正比圖(十二) 的

28. 如圖(十三)所示之電路，D1 為理想二極體，Vi 為最大值 5 V，最小值 0 V 且工作週期 a ( duty cycle )為 0.5 之脈波，則 Vo的平均值為何？

(A) 1.5V (B) 2.5V (C) 3.5V (D) 4.5V 圖(十三) 的

29. 如圖(十四)所示之電路，V_i = V_msinωt，則下列敘述何者正確？

(A) Vo漣波頻率是 Vi電壓頻率的兩倍 (B) 二極體 D1的最大逆向偏壓為 Vm (C) 電容器 C1上的電壓為 2Vm (D) 電路為半波二倍倍壓電路圖(十四) 的

30.PNP 電晶體工作於飽和區時，其基射極電壓 VBE和基集極電壓 V_BC為何？ (A) V_BE > 0 及 V_BC > 0 (B) V_BE > 0 及 V_BC < 0 (C) V_BE < 0 及 V_BC > 0 (D) V_BE < 0 及 V_BC < 0 的

31.a如圖(十五)所示之電路，電晶體 β = 50，切入電壓 V_BE = 0.7V，則集射極電壓 V_CE為何？

(A) 5.3V (B) 6.8V (C) 7.8V (D) 9.1V

32. 如圖(十六)所示之電路，電晶體 β = 100，切入電壓 V_BE = 0.7V 且熱電壓 V_T = 25mV，則 a 小信號電流增益 IE /IS為何？

(A) 1.0 (B) 40.3 (C) 50.7 (D) 65.2

33.a若運算放大器的轉動率( slew rate )為 0.5 V / μs，其輸出訊號為峰值± 5 V 的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號頻率最高為何？ (A) 20kHz (B) 25kHz (C) 30kHz (D) 50kHz 的

34.a如圖(十七)所示之電路，JFET 的轉移電導 g_m = 6mS，則使電路維持等幅震盪的 R_D最小值約為何？

(A) 2.47kΩ (B) 3.51kΩ (C) 4.83kΩ (D) 6.53kΩ

35.a有一電壓源

，其平均值電壓與有效值電壓比約為何？ (A) –0.6 (B) 0 (C) 0.75 (D) 1

36.a下列敘述何者錯誤？ (A) 稽納二極體之崩潰電壓與摻雜濃度成正比 (B) 稽納二極體工作在逆向崩潰區才有穩壓功能 (C) 發光二極體屬於冷性發光 (D) 發光二極體由摻雜材料來決定發光顏色

37.a下列關於一般雙極性接面電晶體之敘述，何者正確？ (A) 射極摻雜濃度最低且寬度最窄 (B) 射極摻雜濃度最低且寬度最寬 (C) 集極摻雜濃度最高且寬度最窄 (D) 集極摻雜濃度最低且寬度最寬的

38. 如圖(十八)所示之電路，C₁之主要功能為何？

(A) 隔離直流偏壓 (B) 消除雜訊 (C) 提高輸入阻抗 (D) 隔離交流訊號圖(十八) 的

39.a如圖(十九)所示之電路，MOSFET 之臨限電壓 ( threshold voltage ) 為 2 V，閘源極電壓 V_GS = 4V 時之汲極電流 ID (on) = 1mA，若汲源極電壓 V_DS = 6V，則電阻 R_D約為何？

(A) 2MΩ (B) 1.5MΩ (C) 2kΩ (D) 1.5kΩ

40.a如圖(二十)所示之電路，已知 JFET 之 I_DSS = 4mA，截止電壓( cutoff voltage ) V_GS(off) = –4V，汲極電阻參數 rd = ∞，則 Vo /Vi約為何？

(A) –3.4 (B) –5.2 (C) –6.3 (D) –8.1

41.a如圖(二十一)所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，電流 I 為何？

(A) 0.005mA (B) 0.02mA (C) 0.1mA (D) 0.4mA

42.a如圖(二十二)所示之理想運算放大器電路，運算放大器的飽和電壓為± 12 V，則 Vo為何？

(A) –12 V (B) –6 V (C) 6 V (D) 12 V

43.aNPN 電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有 0.25 % 在基極與電洞結合，其餘 99.75 % 被集極收集，則此電晶體之 β 值為何？ (A) 99 (B) 199 (C) 299 (D) 399 的

44.a如圖(二十三)所示之電路，電晶體的 β = 100，V_CE = 5V，V_BE = 0.7V，則 RB值約為何？

(A) 43kΩ (B) 65kΩ (C) 87kΩ (D) 101kΩ

45.a下列關於電晶體共射極且無旁路電容之射極回授偏壓電路之敘述，何者錯誤？ (A) 可改善工作點穩定度 (B) 具有電流負回授之功能 (C) 與有旁路電容之射極回授偏壓電路比較，電流增益降低 (D) 與有旁路電容之射極回授偏壓電路比較，電壓增益增加

46.a如圖(二十四)所示之電路，電晶體靜態工作點 V_CE = 6 V，集極電流 I_C = 1.2mA，β = 100，熱電壓 V_T = 26mV，則輸入阻抗 Zi約為何？

(A) 9.85kΩ (B) 8.33kΩ (C) 7.71kΩ (D) 5.32kΩ

47.a積體電路內之串級放大器電路大部分採用何種耦合方式？ (A) 直接耦合 (B) 電容耦合 (C) 電阻耦合 (D) 變壓器耦合的

48.aN 通道增強型 MOSFET 的臨限電壓( threshold voltage )為 2V，當 V_GS = 5V 時，MOSFET 工作於飽和區(夾止區)，且 I_D = 3mA。若 V_GS = 8V，則轉移電導 gm為何？ (A) 1mS (B) 2mS (C) 4mS (D) 6mS

49.a如圖(二十五)所示之理想運算放大器電路，流經稽納二極體之電流 I_Z = 1.5mA，運算放大器之飽和電壓為± 15V，則 R 值為何？

(A) 1kΩ (B) 2kΩ (C) 3kΩ (D) 5kΩ 圖(二十五) 的

50.a如圖(二十六)所示之理想運算放大器電路，V_１之峰對峰值約為何？

(A) 2V (B) 3V (C) 4V (D) 5V

申論題 (0)