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99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#46302

科目：積體電路技術 | 年份：99年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (10)

⑴參考圖 a 之不同光罩，試繪出此反相器的剖面圖並說明製造流程。（16 分）
⑵說明此電路在運作時產生閂鎖現象（Latch-up）發生的原因以及解決方法。（12 分） 
⑴金屬導線由靠近矽基板（座）的 M1 往上到 Mn（假設總共有 n 層的金屬導線）， 試問在實體電路設計上，如何使用這些不同的金屬層（M1…Mn）？這些金屬層 的寬度大小為何（假設厚度皆相同）？（10 分）
⑵試說明在製程演進過程中，金屬導線逐漸由傳統的鋁製程改為銅製程的原因以及 是否增加製造的成本？（6 分）
⑶試說明 Metal Migration 的現象如何發生？如何避免？（6 分）
⑴如何在製程參數設定上提供雙電壓的設計方案？（10 分）
⑵當提供電壓（Supply Voltage VDD）降低時是否造成電晶體特性的改變？如何在製 程或電路設計上降低漏電流的效應？（14 分）
⑴試說明邏輯製程和 DRAM 製程的主要差異。（8 分）
⑵一般 DRAM 的製程主要採溝槽式（Trench）和堆疊式（Stack），說明此兩方案 的製造技術以及在高儲存容量下的優劣分析。（10 分）
⑶欲實現一個具有高記憶容量的高速特殊應用積體電路（High-Speed ASIC），試分 析分別在邏輯製程和 DRAM 製程實現的優缺點。（8 分）