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【段考】高三公民下學期
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102年 - 師大附中 高三(下學期) 第一次期中考公民與社會科試題-音美班#35859
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統計:
A(4), B(2), C(3), D(0), E(0) #1031264
相關試題
1 若 ,Vtn=2V ,則下列電路之gm 值為:(提示: ID= Kn (VGS-Vtn)2) (A)1 mA/V (B)2 mA/V +12V (C)3 mA/V (D)4 mA/V 6kΩ
#1031265
2 下圖由理想運算放大器所組成之低通濾波器,若欲設計使其高頻截止頻率 fH=10kHz,則電阻 R 約 為多少?(A)31.8 kΩ (B)20.7 kΩ (C)15.9 kΩ (D)7.07 kΩ
#1031266
3 下圖電路中,理想運算放大器之電源電壓為±15 V,請問流過 100 Ω 電阻之電流 IL為多少? (A)5 mA (B)3 mA (C)2 mA (D)1 mA
#1031267
4 電路圖中運算放大器為理想運算放大器,且電源電壓為±15 V,則電路中 VO輸出為多少 V? (A)-5 V (B)-3 V (C)+3 V (D)+5 V
#1031268
5 假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器,求電壓增益 Av = vO/vI 為多少? (A)-5 (B)-10 (C)+10 (D)+5
#1031269
6 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤? (A)PMOS 主要靠電洞導電 (B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值 (C)一般 NMOS 在使用時之源極(Source)電壓較汲極(Drain)電壓高 (D)NMOS 之基板(Substrate)為 P 型
#1031270
7 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其 iD-vGS關係如圖所示,iD是流入汲極之電流,則此 FET 為: (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS
#1031271
8 雙極性電晶體電路中,若電晶體做為開關時,當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段? (A)截止區 (B)線性區 (C)崩潰區 (D)飽和區
#1031272
9 一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和 r=90Ω,求其品質因數(Q-factor)的近似 值: (A)50000 (B)60000 (C)70000 (D)80000
#1031273
10 在一般矽半導體中,電子的移動率(mobility)μn與電洞的移動率 μp,何者較大? (A)μn>μp (B)μn<μp (C)兩者約略相等 (D)視半導體為 n 型或 p 型而定
#1031274
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