7 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其 iD-vGS關係如圖所示,iD是流入汲極之電流,則此 FET 為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS

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統計: A(3), B(16), C(110), D(4), E(0) #1031271

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#1579774
1.Vgs橫跨+與-表示有增強操作與空乏...
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私人筆記#7641154
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