阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
103年 - 103 初等考試_電子工程:電子學大意#35860
> 試題詳解
7 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其
iD-vGS
關係如圖所示,
iD
是流入汲極之電流,則此 FET 為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
答案:
登入後查看
統計:
A(3), B(16), C(110), D(4), E(0) #1031271
詳解 (共 1 筆)
Jian Hua Chen
B1 · 2017/01/07
#1579774
1.Vgs橫跨+與-表示有增強操作與空乏...
(共 100 字,隱藏中)
前往觀看
13
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/15
私人筆記#7641154
未解鎖
(共 0 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
其他試題
3 下圖電路中,理想運算放大器之電源電壓為±15 V,請問流過 100 Ω 電阻之電流 IL為多少? (A)5 mA (B)3 mA (C)2 mA (D)1 mA
#1031267
4 電路圖中運算放大器為理想運算放大器,且電源電壓為±15 V,則電路中 VO輸出為多少 V? (A)-5 V (B)-3 V (C)+3 V (D)+5 V
#1031268
5 假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器,求電壓增益 Av = vO/vI 為多少? (A)-5 (B)-10 (C)+10 (D)+5
#1031269
6 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤? (A)PMOS 主要靠電洞導電 (B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值 (C)一般 NMOS 在使用時之源極(Source)電壓較汲極(Drain)電壓高 (D)NMOS 之基板(Substrate)為 P 型
#1031270
8 雙極性電晶體電路中,若電晶體做為開關時,當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段? (A)截止區 (B)線性區 (C)崩潰區 (D)飽和區
#1031272
9 一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和 r=90Ω,求其品質因數(Q-factor)的近似 值: (A)50000 (B)60000 (C)70000 (D)80000
#1031273
10 在一般矽半導體中,電子的移動率(mobility)μn與電洞的移動率 μp,何者較大? (A)μn>μp (B)μn<μp (C)兩者約略相等 (D)視半導體為 n 型或 p 型而定
#1031274
11 下圖為理想二極體的截波電路,當輸入電壓大於 5V 時,其輸出電壓為何? (A)(2·Vi –5)/3 (B)(3·Vi –5)/4 (C)(2·Vi +5)/3 (D)(3·Vi +5)/4
#1031275
12 如圖電路,設二極體導通時之 VD = 0.7 V 之定值。此電路之輸出電壓 VO之值約為何?.(A)0.7 V (B)1.7 V (C)2.3 V (D)4.3 V
#1031276
13 圖示理想運算放大器電路中,R1 = 1 kΩ及 R2 = 2 kΩ,且二極體導通的電壓降為 0.7 V。若輸入電壓 vI = 1 V,則電壓 vA 為若干? (A) -2 V (B)-0.7 V (C)0 V (D)2 V
#1031277