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試題詳解

試卷：103年 - 103 初等考試_電子工程：電子學大意#35860 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：103年 - 103 初等考試_電子工程：電子學大意#35860

年份：103年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

7 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD-vGS關係如圖所示，iD是流入汲極之電流，則此 FET 為：
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
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