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103年 - 103 初等考試_電子工程：電子學大意#35860
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
103年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 若
，Vtn=2V ，則下列電路之gm 值為：（提示： ID= Kn (VGS-Vtn)
2
） (A)1 mA/V (B)2 mA/V +12V (C)3 mA/V (D)4 mA/V 6kΩ
2 下圖由理想運算放大器所組成之低通濾波器，若欲設計使其高頻截止頻率 f
H=
10kHz，則電阻 R 約 為多少？(A)31.8 kΩ (B)20.7 kΩ (C)15.9 kΩ (D)7.07 kΩ
3 下圖電路中，理想運算放大器之電源電壓為±15 V，請問流過 100 Ω 電阻之電流 IL為多少？ (A)5 mA (B)3 mA (C)2 mA (D)1 mA
4 電路圖中運算放大器為理想運算放大器，且電源電壓為±15 V，則電路中 VO輸出為多少 V？ (A)-5 V (B)-3 V (C)+3 V (D)+5 V
5 假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器，求電壓增益 Av = vO/vI 為多少？ (A)-5 (B)-10 (C)+10 (D)+5
6 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)PMOS 主要靠電洞導電 (B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值 (C)一般 NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電壓高 (D)NMOS 之基板（Substrate）為 P 型
7 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其
iD-vGS
關係如圖所示，
iD
是流入汲極之電流，則此 FET 為： (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS
8 雙極性電晶體電路中，若電晶體做為開關時，當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段？ (A)截止區 (B)線性區 (C)崩潰區 (D)飽和區
9 一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和 r=90Ω，求其品質因數（Q-factor）的近似 值： (A)50000 (B)60000 (C)70000 (D)80000
10 在一般矽半導體中，電子的移動率（mobility）μn與電洞的移動率 μp，何者較大？ (A)μn＞μp (B)μn＜μp (C)兩者約略相等 (D)視半導體為 n 型或 p 型而定
11 下圖為理想二極體的截波電路，當輸入電壓大於 5V 時，其輸出電壓為何？ (A)(2·Vi –5)/3 (B)(3·Vi –5)/4 (C)(2·Vi +5)/3 (D)(3·Vi +5)/4
12 如圖電路，設二極體導通時之 V
D
= 0.7 V 之定值。此電路之輸出電壓 V
O
之值約為何？
.(A)0.7 V (B)1.7 V (C)2.3 V (D)4.3 V
13 圖示理想運算放大器電路中，R
1
= 1 kΩ及 R
2
= 2 kΩ，且二極體導通的電壓降為 0.7 V。若輸入電壓 v
I
= 1 V，則電壓 v
A
為若干？ (A) -2 V (B)-0.7 V (C)0 V (D)2 V
14 圖中為一半波整流電路，當輸入為頻率 60 Hz、峰值 120 V 的電壓，請問其漣波電壓約為多少？ (A)0.1 V (B)0.2 V (C)1 V (D)2 V
15 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N
1
：N
2
= 8：1，輸入電壓 vi 為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，求二極體之峰值反向電壓為何？ (A) 14.3 V (B)24.3 V (C)34.3 V (D)44.3 V
16 如圖所示之理想運算放大器電路，稽納（Zener）二極體操作在崩潰（breakdown）區，求 i 為何？ (A) 1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA
17 當一矽二極體導通時，跨於二極體兩端的電壓 VD約有多大？ (A) 0 V (B)0.025 V (C)0.7 V (D)1.4 V
18 圖示理想二極體電路中，若輸入 vI為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO的波形？
(A)
(B)
(C)
(D)
19 圖中電晶體的β=240，V
BE
= 0.7 V 及 V
T
= 25 mV，其電壓增益（Vo / Vi）約為： (A)-700 (B) -500 (C)-300 (D)-100
20 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益
，下列敘述何者錯誤？ (A)增加 RE則增益減低 (B)增加 RC則增益提高 (C)若 RS= 0，增加 RB則增益增加 (D)增加 RS則增益減低
.
21 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種？ (A)共射極 (B)射極隨藕 (C)共基極 (D)具有射極電阻之共射極
22 當 BJT 操作於主動模式，其 I
B
、I
C
、I
E
三者之大小關係為： (A) I
B
＜I
C
＜I
E
(B)I
B
＞I
C
＞I
E
(C)I
C
＞I
E
＞I
B
(D)I
C
＜I
B
＜I
E
23 P 通道增強型 MOSFET 導通時，閘極必須加： (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零
24 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出 阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo / Vi=？ (A)-5.25 (B)-10.5 (C)-21 (D)-42
25 MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路，當應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於下列何區 域？ (A)截止區 (B)三極管區（Triode Region） (C)飽和區 (D)崩潰區
26 有一 npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）V
A
= 40 V。該電晶體操作於主動模式，且 I
C
= 4 mA， 則電晶體的輸出電阻 ro約為： (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)160 kΩ (D)無窮大
27 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、r
e
、r
π
及 輸出電阻 ro均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin（不含 Rsig）為： (A)R
B
(B)R
B
|| r
π
(C)R
B
|| r
o
(D)R
B
|| R
C
28 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），且 v
o
對 v
i
為高通（high pass）頻 率響應，下列何種方式無法降低本放大器之低頻 3dB 頻率點(ωL )？ (A)增加 R
L
(B)增加 R
B
(C)增加 R
E
(D)減低 C1
29 圖示電路，若 V
+
= +12 V、V
−
= -12 V、R
E
= 3 kΩ，且電晶體之α ≈ 1，EB 接面導通電壓為 0.7 V，EC 間飽和電壓降為 0.3 V，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電阻 R
C
之最大值約為若e干 kΩ？ (A) 2.1 (B)3.3 (C)5.5 (D)8.6
30 有一電 如下圖所示，若所有電阻 R1~R5 均相等，且所有放大器 U1 及 U2 均為理想運算放大器。若 交流電 V1，其振幅為 5 V，試問節點 A 的最大電壓 VA應落在下列何範圍內？ 路 (A) 6 V
VA 源 (B) 4 V
V
A
＜6 V (C)2 V
V
A
＜4 V (D)V
A
＜2 V
31 相較於基本單級的共源極 CS 放大器，圖示 CD-CS 串接放大電路的主要優點為： (A)可提高輸入阻抗 (B)可提高輸出阻抗 (C)可提升電壓增益 (D)可增加頻寬
32 某一單極點放大器在無回授時電壓增益為 100，頻帶寬為 5 kHz。若加了負回授後其電壓增益降為 80， 則頻帶寬為多少？ (A)6.25 kHz (B)5 kHz (C)4 kHz (D)3.5 kHz
33 關於 CE-CE 放大器的特性，下列何者正確？ (A)高頻寬 (B)低輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)低電流增益
34 若欲使用單一頻率訊號以測放大器之大致頻率響應情形時，一般常使用下列那一種訊號波形？ (A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波
35 如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的極間電容中，以何 者對放大器的高頻響應影響最大？ (A) C
C1
(B)C
C2
(C)C
E
(D)電晶體的極間電容
36 一反向放大器其直流增益值為-50V/V，當其頻率為 10
f
3dB
時，其增益為何？ (A)-1 V/V (B)-5 V/V (C)-10 V/V (D)-50 V/V
複選題
37 下列關於濾波器的描述，何者錯誤？ (A)低通濾波器可通過低頻信號而濾除高頻信號 (B)帶拒濾波器過濾特定頻帶範圍的信號 (C)頻寬與帶通濾波器之中心頻率呈反比關係 (D)帶通濾波器的品質因數（Quality Factor）愈大，選擇性愈低
38 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A)Q
1
與 Q
2
構成主動負載 (B)Q
3
與 Q
4
提供差動放大 (C)C
C
為旁路電容（Bypass Capacitor） (D)Q
6
功能為電壓放大
39 如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器， 下列敘述何者錯誤？ (A)約有相同的輸入電阻 (B)約有相同的電壓增益(C)約有相同的頻寬 (D)疊接放大器的兩個電晶體，具有相同的汲極電流
40 如圖所示電路為一主動式高通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數
為：
(A)
(B)
(C)
(D)
申論題 (0)
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，Vtn=2V ，則下列電路之gm 值為：（提示： ID= Kn (VGS-Vtn)2）
(A)1 mA/V
(B)2 mA/V +12V
(C)3 mA/V
(D)4 mA/V 6kΩ
.(A)0.7 V (B)1.7 V (C)2.3 V (D)4.3 V
(A)
(B) 
(C) 
(D)
，下列敘述何者錯誤？ (A)增加 RE則增益減低 (B)增加 RC則增益提高 (C)若 RS= 0，增加 RB則增益增加 (D)增加 RS則增益減低
.
VA 源 (B) 4 V 
VA＜6 V (C)2 V
VA＜4 V (D)VA＜2 V
為：
(B)
(C)
(D)