6 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤?
(A)PMOS 主要靠電洞導電
(B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值
(C)一般 NMOS 在使用時之源極(Source)電壓較汲極(Drain)電壓高
(D)NMOS 之基板(Substrate)為 P 型
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統計: A(11), B(10), C(191), D(11), E(0) #1031270
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