1. 下列有關雜質半導體(extrinsic semiconductor)特性之敘述，何者正確？ (A) 在本質(intrinsic)矽內加入硼(boron)原子後可產生 n 型導電特性 (B) 在 n 型半導體中，電子的移動率(mobility)隨著溫度的增加而變大 (C) 在熱平衡時，自由電子與電洞濃度的乘積值不受摻雜濃度(doping concentration)影響 (D) 在無外加電壓時，雜質半導體內之擴散電流(diffusion current)必為零