試題詳解

試卷：114年 - 12300 化工丙級工作項目 01：普通化學 101-150（2025/12/17 更新）#135089 | 科目：技檢◆化工-丙級

試卷資訊

試卷名稱：114年 - 12300 化工丙級工作項目 01：普通化學 101-150（2025/12/17 更新）#135089

年份：114年

科目：技檢◆化工-丙級

106. 半導電製程中的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是利用機械配合適當的化學助劑，以將高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液？
(A)SiO₂系
(B)Al₂O₃系
(C)SiF₄系
(D)H₃PO₄系。

正確答案：登入後查看