106. 半導電製程中的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是利用機械配合適當的化學助劑，以將 高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液？
(A)SiO2系
(B)Al2O3系
(C)SiF4系
(D)H3PO4系。

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