11.有關半導體之敘述,下列何者正確?
(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性
(B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電
(C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成
(D)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(VBR)較鍺(Ge)質半導體為高
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統計: A(2), B(9), C(5), D(73), E(0) #1510029
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