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統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習
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107年 - 107 四技二專統測_機械群_專業科目(二):機械製造、機械基礎實習、製圖實習#75922
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試題詳解
試卷:
107年 - 107 四技二專統測_機械群_專業科目(二):機械製造、機械基礎實習、製圖實習#75922 |
科目:
統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習
試卷資訊
試卷名稱:
107年 - 107 四技二專統測_機械群_專業科目(二):機械製造、機械基礎實習、製圖實習#75922
年份:
107年
科目:
統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習
13. 有關半導體製程的敘述,下列何者正確?
(A) 柴可斯基法(Czochralski Process)拉晶形成的矽晶棒,其直徑精度很難控制
(B) 半導體薄膜製作,通常採用氣相沈積和還原法
(C) 半導體蝕刻製程是將顯影後晶片表面光阻覆蓋區域蝕除,露出矽晶材料
(D) 半導體以離子植入法摻入碳原子至矽基板,可以製造 P 型半導體
正確答案:
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詳解 (共 2 筆)
charlieleo52
B3 · 2019/06/10
推薦的詳解#3406038
未解鎖
(B) 半導體薄膜製作,通常採用氣相沈積...
(共 93 字,隱藏中)
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陳建銘
B1 · 2019/06/09
推薦的詳解#3404774
未解鎖
(C) 半導體蝕刻製程是將顯影後晶片表面...
(共 120 字,隱藏中)
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