14. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述,下列何者有誤?
(A)開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊
(B)順向偏壓時,電流與電壓呈指數關係
(C)逆向偏壓時,空乏區所形成的電容變大
(D)多數載子之移動形成擴散電流

答案:登入後查看
統計: A(29), B(36), C(109), D(30), E(0) #1540130

詳解 (共 1 筆)

#2481261
若逆向偏壓上升,則電位障壁會增加,p側的...
(共 198 字,隱藏中)
前往觀看
12
3

私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#4229631
未解鎖
個人筆記,(僅供參考)個人筆記,(僅供參...
(共 52 字,隱藏中)
前往觀看
0
1