19. P 型半導體與 N 型半導體結合時，在 PN 接合面上形成空乏區，在下列何種情況時，PN 接面出現的空乏區會 更顯著？
(A)短路時
(B)斷路時
(C)外加順向偏壓時
(D)外加逆向偏壓時

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統計： A(5), B(5), C(13), D(33), E(0) #3415453

詳解 (共 2 筆)

#6364313
正確答案是：(D) 外加逆向偏壓   解...
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#7378080
當 PN 接面外加逆向偏壓（Reverse Bias） 或處於斷路（Open Circuit）狀態時，空乏區（Depletion Region）會更顯著。其中，以外加逆向偏壓的情況最為顯著。
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