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112年 - 112 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選:資訊科#114161
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2. 當二極體在順向偏壓且偏壓電壓增加時,則橫跨二極體(假設是理想二極體)的電壓將 會如何變化?
(A)隨著偏壓增加而增加
(B)隨著偏壓增加而減少
(C)不會隨著偏壓增加而變化
(D)依照電路阻抗而變化。
答案:
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統計:
A(2), B(0), C(4), D(0), E(0) #3099839
詳解 (共 1 筆)
陳小刀
B1 · 2023/05/13
#5809519
當二極體在順向偏壓下,假設為理想二極體,...
(共 119 字,隱藏中)
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3. 雙極性電晶體的工作條件必須滿足下列何者條件? (A)BE 之間為逆向偏壓、BC 之間為逆向偏壓 (B)BE 之間為逆向偏壓、BC 之間為順 向偏壓 (C)BE 之間為順向偏壓、BC 之間為逆向偏壓 (D)BE 之間為順向偏壓、BC 之間為順向偏壓。
#3099840
4. 理想狀況下,FET 等效電路包含下列何者? (A)電流源與電阻串聯 (B)汲極與源極端間的電阻 (C)閘極與源極端間的電流源 (D)汲極與源極端間的電流源。
#3099841
5. 下列哪個電子元件可以用於構建振盪器? (A)雙極型電晶體 (B)場效應電晶體 (C)電感 (D)電容器。
#3099842
6. 下列哪個電子元件可以用於構建放大器? (A)雙極型電晶體 (B)場效應電晶體 (C)電感 (D)電容器。
#3099843
7. 在一個半導體材料中,空穴的電子運動是什麼? (A)從N型材料向P型材料移動 (B)從P型材料向N型材料移動 (C)在P型材料內移動 (D)在N型材料內移動。
#3099844
8. BJT電晶體放大電路中,具有高輸入阻抗、低輸出阻抗,適合作為阻抗匹配用的是哪 一種? (A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)共陽極。
#3099845
9. 以MOSFET組成邏輯閘之特性,以下敘述何者錯誤? (A)以MOSFET取代BJT組成邏輯閘,可提高IC填裝之密度 (B)以MOSFET組成邏輯閘 較BJT組成的速度慢 (C)以MOSFET組成邏輯閘之扇出數與負載電容無關 (D)以 MOSFET組成邏輯閘較BJT組成的消耗功率低。
#3099846
10. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)的特性及應用,以下哪點敘述是錯的? (A)為電壓控制元件 (B)作為放大電路時,通常工作於三極體區 (C)n通道MOSFET 的導電載子為電子 (D)適用於超大型積體電路(VLSI)的設計。
#3099847
11. 下列哪個是可變多工器? (A)2:1多工器 (B)4:1多工器 (C)8:1多工器 (D)16:1多工器。
#3099848
12. 有一個三輸入 AND 閘,每個輸入都可以是高電位(1)或低電位(0)。你需要使用這個 AND 閘來實現一個三輸入 OR 閘,每個輸入也都可以是高電位或低電位。請問以下哪 個是正確的實現方式? (A)三個輸入先分別接到一個反相器(NOT 閘)上,然後將它們的輸出接到 AND 閘的輸 入上 (B)三個輸入直接接到 AND 閘的輸入上,然後將 AND 閘的輸出接到一個反相 器(NOT 閘)上 (C)三個輸入先分別接到 OR 閘的輸入上,然後將它們的輸出接到一個反相器(NOT 閘)上 (D)三個輸入直接接到 OR 閘的輸入上,然後將 OR 閘的輸出接到 一個反相器(NOT 閘)上。
#3099849
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