24.有關半導體摻雜(doping)的敘述，下列何者錯誤？ (A)摻雜濃度越高的半導體導電性越好 (B)摻雜 3 價的半導體中，自由電子的數量＞電洞的數量 (C)摻雜 3 價的元素：硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In) (D)摻雜 3 價的受體(Acceptor)後，會形成 P 型半導體