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A.電工原理、B.電子概論
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101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類:電工原理、電子概論#71754
> 試題詳解
29.雙極性電晶體(Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT)的共基極組態(CB)放大電路之交流輸入接腳,其中一支輸入接 腳為共用腳,而另一支輸入接腳是哪一極 ?
(A)集極(Collector)
(B)射極(Emitter)
(C)基極(Base)
(D)閘極(Gate)
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統計:
A(25), B(140), C(13), D(2), E(0) #1868590
私人筆記 (共 1 筆)
有緣人
2020/10/26
私人筆記#2599387
未解鎖
又眼瞎不該錯是問輸入的腳不是輸出
(共 16 字,隱藏中)
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30.如【圖 30】的金氧半場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tranisitor,簡稱 MOSFET),若要操作在 飽和區,則下列何者的偏壓方式可以達到 ? (A)VGS< 0,VDS< 0 (B)VGS> 0,VDS> 0 (C)VGS< 0,VDS> 0 (D) VGS> 0,VDS< 0
#1868591
31. 如【圖 31】所示為一 OPA 振盪電路,下列敘述何者錯誤 ? (A)輸出點 Vo 可得一方波訊號 (B)當電容值C 增大時,可以增加振盪週期 (C)當電阻值R2 增大時,振盪頻率增加 (D)當電阻值R1 增大時,振盪頻率增加
#1868592
32.如【圖 32】所示之電路中,電容器 CE的主要功能為何 ? (A)穩定直流工作點 (B)減少電晶體的漏電流 (C)提高電路的交流增益 (D)提供電晶體溫度補償
#1868593
33.有一個二極體半波整流電路,輸入訊號為 V(t)=10sin6280t 伏特,則輸出平均值電壓約為多少伏特 ? (A) 0 V (B) 3.18 V (C)6.36 V (D)10 V
#1868594
34.接合面場效應電晶體(Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET)欲控制通道的電流大小,主要是控制下列何者 ? (A)通道中載子的濃度 (B)通道之導電係數 (C)通道的寬度 (D)由閘極感應的電荷形成通道
#1868595
35.已知 MOSFET 的特性之敘述,下列何者錯誤 ? (A)N 通道增強型 MOSFET 當閘源極電壓VGS > 臨界電壓 Vt 時,產生 ID 電流 (B) P 通道空乏型 MOSFET 之閘源極電壓VGS 可接負電壓或正電壓 (C)N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓(Vt)為負值 (D)增強型 MOSFET 半導體結構上沒有預設通道
#1868596
36.有關運算放大器(OPA)之敘述,下列何者錯誤 ? (A)理想運算放大器的開迴路增益為無窮大 (B)理想運算放大器的輸入阻抗為無窮大 (C)理想運算放大器在正回授系統中具有虛短路的特性 (D)理想運算放大器的輸入抵補電壓為零
#1868597
37.如【圖 37】所示之二極體截波電路,倘若二極體視為理想,Vi(t)=5sin6280t 伏特,V1 = 6V,V2 = 4V,請問輸出電壓 Vo 範圍 ? (A)-4 V~6 V (B) -6V~4V (C) -4 V~5 V (D)-5V~6V
#1868598
38.有關 PN 接面的半導體敘述,下列何者錯誤 ? (A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時,其 P 型側的空乏區寬度較寬 (B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子 (C)在逆向偏壓下,PN 接面會形成一空乏電容,其大小與偏壓成反比 (D) PN 接合時,所產生的空乏區將抑制擴散電流
#1868599
39.溫度每上升 1 oC 時,矽二極體的順向偏壓會: (A)下降 1 mV (B)下降 2.5 mV (C)上升 1 mV (D)上升 2.5 mV
#1868600
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