25. 如圖(十四)所示之增強型MOSFET電路，其臨界電壓(threshold voltage )V_T=2.25V，參數 K=0.8mA/V ²，V_DD =15V，R_G1=900kΩ，R_G2=300 kΩ，R_D =3.3kΩ，則V_DS約為何？
(A) 10.14V
(B) 9.06V
(C) 7.56V
(D) 4.12V 

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