試題詳解

試卷：110年 - 110-1 初級電動車機電整合工程師能力鑑定-01電動車概論(當次試題公告110.10.13)#104046 | 科目：電動車概論

試卷資訊

試卷名稱：110年 - 110-1 初級電動車機電整合工程師能力鑑定-01電動車概論(當次試題公告110.10.13)#104046

年份：110年

科目：電動車概論

4. IGBT/MOSFET 閘極(Gate)驅動多使用光耦合 IC(如 TLP5214)，並常應用於變頻器，則下列敘述何者正確？
(A)驅動光耦合驅動 IC，不需要高的共模互斥比(CMR)；
(B)驅動光耦合驅動 IC，需要高的共模互斥比(CMR)；
(C)驅動光耦合驅動 IC，不需要欠電壓鎖定(UVLO)；
(D) 上下臂驅動光耦合驅動 IC，不需有死區時間

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