4. N 通道空乏型 DMOS，已知夾止電壓=-4V，某學生設計偏壓如圖(四)，問電晶體工作於哪區域?

(A)歐姆區
(B)夾止區
(C)截止區
(D)崩潰區

答案：登入後查看
統計： A(0), B(1), C(0), D(0), E(0) #3224270

詳解 (共 1 筆)

#6968333
1. 題目解析 這道題目考察的是N通道空...
(共 930 字，隱藏中）
前往觀看
0
0

私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#5914660
未解鎖
設Vs=0V為共同接地點 N通道Vgs=...


(共 263 字，隱藏中）
前往觀看
1
0