44. 如圖所示為 CMOS 反相器電路，VDD = +5V ，假設 MOSFET 的臨界電壓分別為 VTN =1V、VTP = -1V ， KN = 0.6mA/V2、KP = 0.2mA/V2。試問當輸入電壓 Vi為 5V 時，EPMOS 與 ENMOS 分別工作於何區域？(A) EPMOS：飽和區；ENMOS：飽和區 (B) EPMOS：歐姆區；ENMOS：歐姆區 (C) EPMOS：截止區；ENMOS：歐姆區 (D) EPMOS：歐姆區；ENMOS：截止區。