阿摩線上測驗
登入
首頁
>
國營事業◆1.電路學 2.電子學
>
109年 - 109 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#92825
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
109年 - 109 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#92825 |
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
試卷資訊
試卷名稱:
109年 - 109 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#92825
年份:
109年
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
50. 有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓V
T
= 2 V,當V
GS
= 5 V時,MOSFET工作於飽和區(夾止區),I
D
= 3 mA。若V
GS
= 8 V,則轉移電導g
m
為下列何者?
(A) 1 mS
(B) 2 mS
(C) 4 mS
(D) 6 mS
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 1 筆)
Neng Kuan Lin
B1 · 2020/12/17
推薦的詳解#4440179
未解鎖
ID=K(VGS-VT)2 3m=K(...
(共 71 字,隱藏中)
前往觀看
11
0
私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2025/09/14
私人筆記#7438350
未解鎖
國營事業◆1.電路學 2.電子學#40...
(共 366 字,隱藏中)
前往觀看
5
0