8. 如圖(六)所示電路，假設電晶體之 β = 100，導通之 V_BE ≈ 0.7 V，熱電壓(thermal voltage)V_T = 26 mV，試求其 g_m 值約為何？ (A) 100 mA/V (B) 200 mA/V (C) 300 mA/V (D) 400 mA/V

13. 如圖(九)所示電路，假設 PMOS 與 NMOS 場效電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $|V_{tp}|=|V_{tn}|=1\text{ V}$，$\mu_n C_{ox}(W/L)_n=20\text{ \textmu A/V}^2$，$\mu_p C_{ox}(W/L)_p=10\text{ \textmu A/V}^2$，當 $V_I=2\text{ V}$，在不考慮通道長度調變效應(channel-length modulation)下，試問 PMOS 與 NMOS 電晶體各工作在什麼區域？ (A) PMOS：飽和區 NMOS：飽和區 (B) PMOS：三極體區 NMOS：三極體區(triode region) (C) PMOS：飽和區 NMOS：三極體區 (D) PMOS：三極體區 NMOS：飽和區

8. 如圖(六)所示電路，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，熱電壓(thermal voltage)$V_T = 26 \text{ mV}$，試求其 $g_m$ 值約為何？
(A) $100 \text{ mA/V}$
(B) $200 \text{ mA/V}$
(C) $300 \text{ mA/V}$
(D) $400 \text{ mA/V}$

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8. 如圖(六)所示電路，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，熱電壓(thermal voltage)$V_T = 26 \text{ mV}$，試求其 $g_m$ 值約為何？(A) $100 \text{ mA/V}$(B) $200 \text{ mA/V}$(C) $300 \text{ mA/V}$(D) $400 \text{ mA/V}$

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8. 如圖(六)所示電路，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，熱電壓(thermal voltage)$V_T = 26 \text{ mV}$，試求其 $g_m$ 值約為何？
(A) $100 \text{ mA/V}$
(B) $200 \text{ mA/V}$
(C) $300 \text{ mA/V}$
(D) $400 \text{ mA/V}$