題組內容

五、如圖五所示為電阻負載式反相器電路，其中 R=1 kΩ、VDD=5.0 V、輸出 低電壓準位 VOL=0.6 V。而其中增強型（enhancement-type）nMOS 電晶 體有著下列的參數：VT0=1.0 V、γ =0.2 V1/2、λ=0、μnCox=22.0 μA/V2 。 試求：（每小題 10 分，共 20 分）5c19e13c148c9.jpg

⑴電晶體所需要的幾何比值（aspect ratio）W/L。

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者：hchungw

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