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113年 - 113 身心障礙特種考試_三等_電力工程:電子學#119486
> 申論題
題組內容
四、已知一弛緩振盪器(RO,如圖四所示)之電路參數:R
1
= 22 kΩ、R
2
= 60 kΩ、 R
3
= 18 kΩ且 C = 0.022 μF。試求:
(一)此電路的振盪頻率(f
r
)值。另當輸出頻率為 10 kHz 時,求此 RO 所需之阻抗(R
1
)值。(15 分)
相關申論題
一、已知一理想運算放大器(Ideal-op,如圖一所示)之電路參數:電阻 R1=2 kΩ、 R2=8 kΩ與 RL=2 kΩ,輸入電壓(vi)為 1 V,請計算此電路:電壓增益(Av)之分貝 dB 值及功率增益(Ap)之分貝 dB 值。(25 分)
#508690
二、已知一場效電晶體(FET,如圖二所示)之電路參數:VTN=0.8 V、Kn=1 mA/V2、 λ=0、IDQ=0.5 mA。請繪小訊號之等效電路圖並求其轉導(gm)值及求小訊號之電壓增益(Av=vo/vs)。(25 分)
#508691
三、已知一雙極性接面電晶體(BJT,如圖三所示)之電路參數:β =125、VA= ∞、 VCC=18 V、RL=4 kΩ、RE=3 kΩ、RC=4 kΩ、R1=25.6 kΩ、R2=10.4 kΩ。求 Q 點之電壓(VCEQ)值、Rm = vo/is及小訊號電壓增益(Av = vo/vs)。(25 分)
#508692
(二)假設此 RO 中的比較器輸出為±10 V,求其三角波之振幅(VUTP 與 VLTP) 值。(10 分)
#508694
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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