申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#81604
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

四、設有一理想的 Si MOS 電容，維持在 T= 300 K，其元件相關參數如下

1.閘極材料為 p+多晶矽（其功函數ΦB=5.2 ev）

2.基板為 n 型矽且雜質摻雜濃度 ND 為 10¹⁸ cm ^-3

3. SiO₂的厚度 x_ox = 2 nm 試求：

(三)若此 MOS 電容的基板摻雜量 N_D減少為 10¹⁷ cm ^-3 時，其臨界電壓會有何變化？並說明理由。（5 分）