申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067
科目：積體電路技術
年份：113年
排序：0

題組內容

五、以 0.25 μm 以下之積體電路製程製造互補式通道金氧半場效應電晶體（CMOSFET）時，會使用

複晶矽作為 p 通道金氧半場效應電晶體（PMOSFET）與 n 通道金氧半場效應電晶體（NMOSFET）的閘極（Gate），此時，PMOSFET 可以使用離子佈植（Ion implantation）加入硼原子調整臨界電壓（Threshold voltage），但會使得 PMOSFET 的通道變成埋藏式通道（Buried channel），試回答下列問題：

申論題內容

(二)如何解決改善？（6 分）