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111年 - 111 身心障礙特種考試_四等_電子工程:電子學概要#107443
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題組內容
二、如圖二所示之電路,設電路中採用理想運算放大器,且電阻 R
1
= 10 kΩ 、 R
2
= 10 kΩ 及電容器 C = 100 μF 。試求:
(二)電路之截止頻率
。
相關申論題
一、如圖一所示之電晶體電路,若電晶體工作於主動區(active region),則基 極至射極電壓 = 0.7 V,若電晶體工作於飽和區(saturation region), 則集極至射極電壓 = 0.2 V , 設 電 晶 體 之 β = 150 、 = 3.3 V 、 = 0.5 kΩ、 = 4 kΩ 、R1 = 85 kΩ 及 R2 = 35 kΩ。試求偏壓電流 及偏 壓電壓 之值。
#460200
(一)電路之轉移函數 , 其中 分別為 之拉普拉氏轉換(Laplace transform)。
#460201
(一)電流 I1 、 和電壓 。
#460202
(二)最大 的共模輸入電壓範圍。(15 分) V+ ID1 ID2 I1 R1 RD RD Vo1 Vo2 V1 M1 M2 V2 IQ M4 M3 + - VGS4 V- 圖三
#460217
四、試用至多四個雙輸入端之反或閘(NOR gates)實現下列邏輯表示式: F = AB + 。
#460203
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
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