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107年 - 107 司法三等 電子學與電路學#71745
> 申論題
題組內容
四、下圖中弦波電壓源之頻率可調，請問：
⑴使電流 i
o
與電源電壓 υ
g
同相（in phase）之頻率是多少 Hz？（10 分）
相關申論題
一、一個增強型 N 通道 MOSFET 具有四個端點：閘極（G）、汲極（D）、 源極（S）和基板（B）。畫出此元件源極和基板未短路時的高頻小訊號 混合 π 等效電路模型。（20 分）
#289716
⑴畫出下圖電路的 s 域（s-domain）等效電路。（5 分）
#289718
⑵求 H(s)=Vo/Vi。（10 分）
#289719
⑶分析說明此電路的功能。（5 分）
#289720
⑵在此頻率下，若 υg = 90 cosωt V，則 io的函數表示式為何？（10 分）
#289722
五、一個汽車電池連接收音機時，此收音機兩端的電壓是 12.5 V；連接汽車 頭燈時，頭燈兩端的電壓是 11.7 V。若此收音機的等效電阻是 6.25 Ω， 汽車頭燈的等效電阻是 0.65 Ω，則此汽車電池的戴文寧（Thévenin）電 壓和戴文寧電阻各是多少？（20 分）
#289723
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）
#570031
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路， 已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ，為使集極電壓為 VC = 5 V， 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那 一區工作？（25 分）
#570030
二、如圖 2 所示之雙埠網路（two-port network），已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω， 試求負載 ZL 的平均吸收功率。（25 分）
#570029
一、如圖 1 所示之理想運算放大器（ideal operational amplifier）電路，試求： 等三個轉移函數（transfer functions）之數學表示式。（25 分）
#570028
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