申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#35133
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

四、

⑵以熱氧化法成長的二氧化矽（SiO2）薄膜，起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成線性關係，隨著時間增長，二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這兩者的物理機制，這兩種機制分界處的二氧化矽薄膜厚度約為多少？（10 分）