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化學反應工程學
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102年 - 102 公務升官等考試_薦任_化學工程：化學反應工程學#25585
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申論題
試卷：102年 - 102 公務升官等考試_薦任_化學工程：化學反應工程學#25585
科目：化學反應工程學
年份：102年
排序：0
申論題資訊
試卷：
102年 - 102 公務升官等考試_薦任_化學工程：化學反應工程學#25585
科目：
化學反應工程學
年份：
102年
排序：
0
題組內容
三、在半導體製程中，矽薄膜（silicon film）是由二氯甲矽烷（SiH2Cl2）在平面基板形 成，其反應式為 SiH
2
Cl
2
→Si+2HCl，r=k''Cs
ilane
，矽密度（ρ
si
）為 3 g/cm
3
，分子 量（M
si
）為 32 g/mole，二氯甲矽烷濃度為 0.02 mole/cm
3
。
申論題內容
⑵假設在此系統質傳速率很快，不會影響反應速率，當此反應速率常數為 k''=2×10
2
cm/sec 時，請問薄膜成長 0.01 cm 厚度需要多少時間？（10 分）
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