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積體電路技術
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106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#66330
> 申論題
⑵畫出 CMOS 反相器之轉移曲線並標示 pMOS 和 nMOS 電晶體之工作區。（10 分）
相關申論題
一、⑴說明標準 CMOS 邏輯閘和 pseudo-nMOS 邏輯閘在矽面積（Silicon Area）、功率消 耗及雜訊邊限（Noise Margin）上之差異。（10 分）
#266041
⑵比較 CMOS 邏輯閘和 nMOS 邏輯閘在所使用的電晶體數、功率消耗及雜訊邊限上 之差異。（10 分）
#266042
二、⑴畫出 CMOS 反相器之電路圖。（5 分）
#266043
⑶說明 CMOS 反相器如欲正常工作，其電源電壓之最低值應為何？（5 分）
#266045
三、請說明使用 CMOS n-well 製程技術，製造 CMOS 反相器之製造程序。（20 分）
#266046
⑴積體電路之可靠度（Reliability）
#266047
⑵電子遷移現象（Electromigration）
#266048
⑶基體效應（Body Effect）
#266049
⑷交談現象（Crosstalk）
#266050
五、⑴何謂系統晶片（SOC）？其和一般 System on Board（SOB）之差異為何？（10 分）
#266051
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