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積體電路技術
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112年 - 112 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#116710
> 申論題
一、一般 CMOS 的 NAND 基本邏輯閘具有兩個輸入端 x 與 y,以及一個輸出端 f,請使用 nMOS 與 pMOS 電晶體畫出此邏輯閘的電路圖,並說明其工作原理。又請指出那些電晶體會有 body effect,請說明原因。 (25 分)
相關申論題
二、在 CMOS 積體電路製程中常用的絕緣體有氮化矽(Si3N4)與二氧化矽(SiO2),請解釋為何不使用純的氮化矽為閘極的絕緣層材料?並請解釋使用二氧化矽為閘極絕緣層材料在新世代積體電路製程中所面臨的瓶頸為何?(25 分)
#498465
三、在目前的積體電路製程中,除了使用 p-well 與 n-well 的 twin-well 分別置放 nMOS 與 pMOS 電晶體之外,也常用淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)來隔離電晶體。請說明淺溝槽隔離的製造流程。(25 分)
#498466
四、波長為 193 nm 的深紫外光光源一直使用到 7 nm 的製程,而後在 5 nm 以後的製程中才廣泛使用 13.5 nm 的極紫外光當作光源。請說明有那些 解析度增強技術的組合使用,讓193 nm 的深紫外光光源能夠一直使用到 7 nm 的製程中。(25 分)
#498467
一、試論述氧垂曲線(Oxygen Sag Curve)於水污染領域之應用,以及其在建構過程中涉及的關鍵參數。請包含氧垂曲線在評估水生生態系統健康狀況方面的重要性,當污染物進入水體時,曲線會如何變化?這對水質和 對水生生物的潛在影響為何?(25 分)
#498468
二、依據我國氣候變遷因應法之定義,試說明何謂氣候變遷風險?何謂氣候變遷調適?試論述如何進行氣候變遷風險評估?又如何運用氣候變遷風險評估結果?(25 分)
#498469
三、依據我國 2050 淨零排放路徑及策略規劃,資源循環零廢棄為關鍵策略之一,試論述資源循環如何從產品設計、資源再生、產業鏈結及技術創 新等面向促進減碳推動。(25 分)
#498470
四、試以系統分析方法論述制訂網購包裝減量政策之流程。(25 分)
#498471
一、請申論傳統快濾池淨水廠具備的完整淨水流程,及各單元的功用及淨水原理。(25 分)
#498472
二、某地區的設計污水量為 300 CMM,揚程為 8 m。欲配置 10 台相同型式 的抽水機(含 1 台備用),試設計適合的抽水機口徑、所需的理論馬力、 軸馬力、及所需的實際馬力大小(請說明假設的抽水機效率、電動機傳動效率等數值各是多少) 。(25 分)
#498473
三、某都市污水廠的處理水量為 20,000 CMD,設計 3 座相同的矩形初沉池, 各池長 40 m,寬 10 m,深 3.5 m。請計算各池的水力停留時間、水平流速、溢流率各是多少,並說明此設計是否合理。(25 分)
#498474
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