申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：94年 - 94-2 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40632
科目：半導體工程
年份：94年
排序：0

申論題內容

三、砷化鎵之能隙（Energy gap）及電子親和力（Electron affinity）分別為 1.42eV 及 4.07eV，以金屬之功函數（work function）而言，為在 n 型砷化鎵製作優良的蕭特基接觸（Schottky contact），請說明需選用何種金屬，並以能帶圖說明其工作機制及原理。（20 分）