申論題

三、考慮一個陡峭（abrupt）P+N接面，兩邊的雜質濃度分別為N_A 與N_D； N_A＞＞N_D。若接面處於平衡狀態，請由載子擴散、復合的觀點來說明接面 空乏區（depletion region） 、內建電場（built-in electric field）的生成機制， 並指出內建電場的指向。若接面由內建電場產生的內建電位為V_bi，空乏區寬度為W；以空乏區近似法表出W與V_bi的關係式。半導體的介電係數為 ε，單位電荷為q。（20分）