三、 已知 I=90µA,每個 MOSFET 的參數為 Vt=1V,µnCox=20µA/V2 若忽略 ro的效應,請設計每個 MOS 的(W/L)比,以滿足 V1=1V, V2=–1V。(電流式子 5 分,寬長比各 5 分,共 20 分)