申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：96年 - 96 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40380
科目：半導體工程
年份：96年
排序：0

三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl₂(g) → SiCl₄(g)。若通入氯氣流量為 100 sccm，請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？（Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm³）（15 分）