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半導體工程
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108年 - 108 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#77994
> 申論題
五、⑴請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。（10 分）
相關申論題
一、對於 n 型矽半導體，它的電子漂移速度（drift velocity）隨著電場增加 而線性增加，但在超過某一臨界電場時，此電子漂移速度會趨近飽和值 1 × 107 cm/s，請說明為什麼在高電場時電子漂移速度會趨近飽和？並說 明此電子動能的來源或機制。（20 分）
#317270
⑴請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height, qφB ）與內建電位值 （built-in potential, qVbi） 。（10 分）
#317271
⑵請繪出此蕭特基接面的能帶圖，並指出此蕭特基接面的能障與內建電 位的位置處。 （10 分）
#317272
三、⑴對於一般的矽材料之 npn 雙極性電晶體設計，都是採用高濃度的射 極，低濃度的薄層基極。請說明此低濃度的薄層基極對電晶體的高頻 響應有何影響？（10 分）
#317273
⑵當 npn 雙極性電晶體工作在高集極電流情況下會產生科克效應（Kirk effect），請說明此科克效應對電晶體高頻響應的影響。 （10 分）
#317274
四、⑴成長二氧化矽（SiO2）薄膜的方式通常都使用熱氧化法（thermal oxidation），熱氧化法又分乾氧化（dry oxidation）與濕氧化（wet ，請解釋為什麼濕氧化的成長速率大於乾氧化的成長速率？ oxidation） （10 分）
#317275
⑵在一光學微影製程（photolithography）系統，假如透鏡的直徑為 5.0 cm， 透鏡至影像的距離為 7.0 cm，若使用的紫外光波長為 350 nm，則此系 統的最小線距解析度（line resolution）為何？（10 分）
#317276
⑵請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的 分布圖。（10 分）
#317278
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
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