申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39986
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

五、在半導體製程中使用局部矽氧化（local oxidation of silicon - LOCOS）技術來做隔絕用，請說明該製程步驟流程，並繪出SiO₂形成後之輪廓示意圖。（20 分）