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109年 - 109 司法、調查特種考試_三等_檢察事務官電子資訊組、電子科學組：電子學與電路學#90085
> 申論題
五、推導圖五高通濾波器轉換函數 V
o
(s)/V
s
(s)之表示式，其|V
o
/V
s
|如電路下方 數學式，代入 s = jω與 R
L
= 1 Ω，求解 R
S
、L 與 C 之值。（20分）
相關申論題
一、圖一放大器之電晶體電流增益β = 24，偏壓集極電流 IC = 0.6 mA，爾利 電壓（Early voltage）VA → ∞，熱電壓（thermal voltage）VT = 25 mV，接 在基極與集極電容之值為∞。RS = 60 Ω，RL = 1.2 kΩ，RB = 6 kΩ，求算小 信號增益 Av = vo/vs與輸入電阻 Rin。（20分）
#367173
二、圖二差動放大器（differential amplifier）之兩電晶體完全匹配且已適當偏 壓，gm = 0.5 mA/V，輸出電阻 ro→ ∞，忽略小信號電容 Cgs與 Cgd。推導 T(s)= Vo(s)/Vi(s)之數學式，並以 RD = 6 kΩ，RS = 0.5 kΩ，CD = 1/6 nF， CS = 0.1 μF，求算其直流增益、頻率響應之極點與零點，須註明單位。 （20分）
#367174
三、依照圖三3對1多工器真值表，寫出輸出 Q 之布林數學式（Boolean expression）Q = Q(a, b, A, B, C)，其中“×”表示「無關」（don’t care）；再 利用相關定理，將之轉換為等效之布林數學式，以適用於僅有三輸入 NAND 閘實現的設計，並畫出此電路。（20分）
#367175
四、圖四 RC 電路開關 S 不通，於 t = 0導通開關 S。R1 = 1 kΩ，R2 = 1.5 kΩ， C = 1 μF，則 t = 0–（S 導通前之瞬間）、t = 0+、t ＞ 0、t → ∞ 時之 vo(t)各 為何？（20分）
#367176
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）
#570031
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路， 已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ，為使集極電壓為 VC = 5 V， 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那 一區工作？（25 分）
#570030
二、如圖 2 所示之雙埠網路（two-port network），已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω， 試求負載 ZL 的平均吸收功率。（25 分）
#570029
一、如圖 1 所示之理想運算放大器（ideal operational amplifier）電路，試求： 等三個轉移函數（transfer functions）之數學表示式。（25 分）
#570028
五、如下為雙埠網路電路圖，混合參數（hybrid parameters）之數值如圖所示， 試求電壓增益= ？
#551327
四、如下電路圖 ， 在 t 0 期間 ， 開關位於A 位置 、 且電路已達穩態 （steady state）。在 t = 0 瞬間，開關由 A 位置切換至 B 位置；且在 t > 0 期間，開關維持於 B 位置。試求 RLC 並聯電路之電感電流 i (t 0) 表示式？
#551326
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