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半導體工程
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96年 - 96 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40379
> 申論題
五、請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同？並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面？為何有此差異？（15 分）
相關申論題
一、半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光，請說明曝光之能量源有那些，並敘 述其優缺點。（24 分）
#124091
二、請說明並繪圖出晶圓之規格 TIR（Total indicated runout），TTV（Total thickness variation）與 FPD（Focal plane deviation）之定義。（24 分）
#124092
三、何謂 Lift-off 製程？於元件製作過程中，那一步驟須此製程？（12 分）
#124093
四、請說明晶圓先烘烤（prebake），光阻軟烤（soft-bake）與光阻硬烤（hard-bake）之功 能為何？（9 分）
#124094
六、何為軟性電子？薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異？（8 分）
#124096
七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異？其主要用途為何？（8 分）
#124097
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
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