八、一個理想之 MOS 元件，如果半導體載子 N_A=10¹⁷/cm³，請計算其空乏區最大寬度。（Note：矽相對介電常數=11.9，真空介電常數=8.85×10^-14 F/cm）（4 分）

詳解提供者：hchungw